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2016年3DV-NAND市场扩大10倍三星拉大与后起业者差距_博亚体育app下载官网
2022-05-25 14:07
本文摘要:在存储器芯片市场上,横向填充结构的3DV-NANDFlash比重于是以很快不断扩大,全球企业间的竞争也将日趋白热化。据韩国MTNews报导,2016年前3DV-NAND市场规模预估将不断扩大10倍,而除目前独占市场的三星电子(SamsungElectronics)外,也将有更加多半导体厂加快生产V-NAND。三星坐大V-NAND市场,为拉大与后起业者的差距,生产产品将从目前的32层填充结构,减少到48层。

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在存储器芯片市场上,横向填充结构的3DV-NANDFlash比重于是以很快不断扩大,全球企业间的竞争也将日趋白热化。据韩国MTNews报导,2016年前3DV-NAND市场规模预估将不断扩大10倍,而除目前独占市场的三星电子(SamsungElectronics)外,也将有更加多半导体厂加快生产V-NAND。三星坐大V-NAND市场,为拉大与后起业者的差距,生产产品将从目前的32层填充结构,减少到48层。

  外电提到市调机构IHSiSuppli资料认为,以NANDFlash的技术分类,V-NAND占比将从第2季2.9%,在年底提高到7.4%,2016年第4季时预估将减少到29.6%,在1年半的时间内不断扩大大约10倍。  V-NAND市场很快茁壮,2017年将跃升目前占到市场比重97%平面TLC或MLCNANDFlash,以41.2%沦为主要产品。2019年V-NAND将以77.2%市占率掌控市场。

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因技术难度低,目前V-NAND虽然只应用于在伺服器用产品等高阶市场,但未来将不会很快往移动装置用市场蔓延。  3DV-NAND相比平面NAND,处理速度慢2倍、耐久性慢10倍、生产效益低2倍、耗电量也增加一半。TLC更容易构建高容量化,且重量和体积都大幅度削减。

目前三星和日系大厂东芝(Toshiba)都有生产TLCNAND,而V-NAND市场则由三星独霸。  V-NAND市场规模不断扩大,半导体大厂也加快进行移动。

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时隔三星之后,NANDFlash市场二哥东芝计划在2015年下半投放48层填充VNAND生产。


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